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ITO面電阻

發(fā)布時間:2014-08-20

ITO膜導電性能采用的指標是方塊電阻,用R表示。

 RITO的體電阻率及ITO膜厚有關。

如下圖是電流平行經(jīng)過ITO膜層的情形。圖中,d為膜厚;I為電流;L1為膜層在電流方向上的長度;L2為膜層在垂直電流方向的長度。

L2

L1

I

d

 

 

 

 


 

 

當電流流過上圖所示的方形導電膜層時,該層的電阻為: 

 


R

=

d

ρ

式中,p為導電膜的體電阻率。對于給定的膜厚層,pd可以認為是不變的定值,當L1=L2時,即為正方形的膜層,無論方塊大小如何,其電阻均為定值p/d,這就是方塊電阻的定義,即

R=ρxxx

L1

dL2

 

 


式中,R單位為:(Ω/)。

 方塊電阻通常用四探針測試儀來測定。 

 

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